中核仪器二维平面中子探测器研制项目硅光电倍增管采购公告

中核仪器二维平面中子探测器研制项目硅光电倍增管采购公告

1.采购条件
中核仪器二维平面中子探测器研制项目硅光电倍增管采购已具备采购条件，采购人为中国宝原投资有限公司集采中心，项目业主为中核（北京）核仪器有限责任公司，项目资金来自企业自筹，现公开邀请供应商参加采购活动。

2.采购范围及相关要求

2.1采购编号：(登录后查看)

2.2项目概况：中核（北京）核仪器有限责任公司承担了“二维平面中子探测器研制”项目的课题任务，由于研制需求，拟采购项目所需的硅光电倍增管形式为16×16阵列。

2.3采购范围：采购项目所需的4096片硅光电倍增管，阵列封装成16×16阵列，总共16个SiPM阵列。具体技术需求如下：

1.SiPM单元技术要求：

SiPM单元灵敏面积

≥2×2mm2

SiPM单元像素尺寸

≥40μm

工作温度范围

-10℃～50℃

SiPM单元光谱响应范围

300nm～800nm

SiPM单元PDE峰值波长范围

400nm～430nm

SiPM单元击穿电压范围

24V～40V

阵列SiPM单元击穿电压不一致性

≤0.5V

SiPM单元在推荐工作电压下的暗计数率

≤150kHz/mm2

SiPM单元在推荐工作电压下的峰值波长PDE

≥60%

SiPM单元在推荐工作电压下的增益

≥5×106

2.SiPM阵列封装要求：

（1）每个阵列由16×16个SiPM单元封装而成，封装后阵列整体尺寸要求为51×51mm2，单边机械加工的误差需要在±0.1mm以内；

（2）SiPM封装成阵列后，表面的平整度需要在0.1mm以内；
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（3）SiPM封装成阵列后，SiPM相邻单元之间的死区间距需要在0.9mm以内。

3.SiPM的基本性能参数测试要求：

由于SiPM单元数量太多，无法每个单元都进行测试。为评估每个SiPM阵列中单元的总体性能情况，现采取抽样方式进行测试。由买方对每个阵列随机抽取其中6个sipm单元，在买卖双方的见证下对抽取sipm单元进行测试并出具测试报告，给出其在推荐工作电压下的暗计数率、暗电流和增益测试数据并给出测试报告。其他典型参数的结果需要提供厂家的产品合格证明作为支持。

2.4交货地点：(登录后查看)

2.5交货期：合同生效之日起30个工作日内。

2.6质量标准：满足采购人要求，如采购人需要，供方需提供相关技术支撑性材料。

2.7成交供应商数量及份额：成交一家，份额100%。

3供应商资格要求

3.1供应商应依法设立且具备承担本采购项目的资质条件、能力和信誉：

（1）资质要求：供应商应是在中华人民共和国境内合法注册、具有独立承担民事责任能力的法人或其他组织且营业执照在有效期内，提供有效《营业执照》。

（2）业绩要求：供应商提供近3年内（2023年8月1日至今，以合同签订日期为准）至少1份同类业绩，需提供合同复印件（含合同首页、关键页、签字盖章页、合同签订日期页等）。

（3）信誉要求：供应商不得被最高人民法院在“信用中国”网站中列入失信被执行人和重大税收违法失信主体，以现场查询结果为准。

3.2供应商不得存在下列情形之一

(登录后查看)3.3本次采购不接受联合体应答。
3.4本次采购不接受代理商或经销商应答。

4谈判采购文件的获取发售时间

北京时间：2026年08月13日—2026年08月17日17：00

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